一种晶体硅太阳能电池二维电极及其制备方法 CN201610210732.2

本发明公开一种晶体硅太阳能电池二维电极及其制备方法，所述的二维电极设置在晶硅电池正面和/或背面，包括：局部接触金属电极、透明导电膜和金属电极；局部接触金属电极以规则图案方式排布在减反射膜/钝化膜上，且金属电极穿透减反射膜/钝化膜与晶体硅片形成局部欧姆接触；透明导电膜设置在减反射膜/钝化膜和局部接触金属电极上，金属电极设置在透明导电膜之上，透明导电膜将其上、下的金属电极连接成为晶体硅太阳能电池电极的导电组合体。该电极显著减少了金属电极的遮光面积与浆料的使用量，同时保证了电极良好的导电性，很好的平衡了晶硅电极光遮挡与导电性之间的两难问题，使电池的转换效率提升、生产成本降低。
专利类型：发明
专利号：201610210732.2
专利申请日：2016.04.06
公开（公告）日：2016.08.17
申请（专利权）人：乐叶光伏科技有限公司;
发明（设计）人：钟宝申; 李华; 赵科雄;
国别省市：陕西;61