钠硫电池中陶瓷与金属的封接工艺 CN201610144878.1
本发明公开了一种钠硫电池中陶瓷与金属的封接工艺，步骤为：采用4J33铁镍合金经渗铬处理；钎焊处理，钎料采用5B05铝合金，升温至600℃保温；升温至630℃‑650℃，采用真空微压钎焊处理，炉冷至300℃；充氮气快速冷却，至室温出炉。本发明的钠硫电池中陶瓷与金属的封接工艺，可解决目前生产率低，无法产业化的问题，封接综合性能好，成品率高。
专利类型：发明
专利号：
201610144878.1
专利申请日：
2016.03.15
公开（公告）日：
2016.07.27
申请（专利权）人：
上海市机械制造工艺研究所有限公司;
发明（设计）人：
卢军; 王琦; 王静; 沈育伟; 孙维超; 沈正元; 倪慧; 朱青;
国别省市：
上海;31
