一种制备具有表面钝化的PN结和晶体硅太阳能电池的方法 CN201310574857.X

　
本发明涉及制备具有表面钝化的PN结和晶体硅太阳能电池的方法，步骤1）离子注入掺杂；2）离子注入掺杂后，将硅片放置到快速热退火炉管中后，将硅片的温度从600-700℃以较快的升温速度迅速升至950-1150℃之间的某个温度点，同时在惰性气体气氛下进行快速退火，在此过程中来完成离子注入损失层的修复；3）在1000-1150℃温度、氮气气氛下继续进行高温退火，时间10-100秒钟左右，继续完成离子注入损失层的修复，同时也进行掺杂的激活和再分布；4）在1000-1150℃温度氧化、氧气气氛下或者掺氯氧化继续进行高温在线氧化退火。同时提出快速热氧化退火设备系统。
专利号：201310574857.X
专利申请日：2013.11.15
公开（公告）日：2014.03.05
申请（专利权）人：中电电气（南京）光伏有限公司
发明（设计）人：黄海冰;王丽春;赵彦;吕俊;赵建华;王艾华
国别省市：江苏;32