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一种制备具有表面钝化的PN结和晶体硅太阳能电池的方法 CN201310574857.X

 
本发明涉及制备具有表面钝化的PN结和晶体硅太阳能电池的方法,步骤1)离子注入掺杂;2)离子注入掺杂后,将硅片放置到快速热退火炉管中后,将硅片的温度从600-700℃以较快的升温速度迅速升至950-1150℃之间的某个温度点,同时在惰性气体气氛下进行快速退火,在此过程中来完成离子注入损失层的修复;3)在1000-1150℃温度、氮气气氛下继续进行高温退火,时间10-100秒钟左右,继续完成离子注入损失层的修复,同时也进行掺杂的激活和再分布;4)在1000-1150℃温度氧化、氧气气氛下或者掺氯氧化继续进行高温在线氧化退火。同时提出快速热氧化退火设备系统。
专利号:201310574857.X
专利申请日:2013.11.15
公开(公告)日:2014.03.05
申请(专利权)人:中电电气(南京)光伏有限公司
发明(设计)人:黄海冰;王丽春;赵彦;吕俊;赵建华;王艾华
国别省市:江苏;32


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