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一种超高填充因子的太阳电池及其制备方法 CN201510694092.2


本发明属于太阳能光伏电池技术领域,具体为一种超高填充因子的太阳电池及其制备方法。本发明太阳电池的结构包括:上电极、界面层、PN结的发射层、PN结的基区、电池的钝化层、下电极;其中界面层材料的性质满足:界面层与发射层之间形成一个势垒;这个势垒方向与PN结方向相反;这个势垒高度最小为Eg-0.8eV,最大为Eg-0.4eV;形成这个势垒的材料向PN结区的扩散深度小于PN结的发射层厚度。界面层与PN结的发射层之间形成一个附加结。本发明改变了原来要求消除或降低太阳电池附加结势垒的思路,在PN结上形成反向串联的势垒高度适合的附加结,获得了超出太阳电池PN结理论最大值的填充因子,从而显著提高了电池转换效率。
专利类型:发明
专利号:201510694092.2
专利申请日:2015.10.25
公开(公告)日:2016.03.09
申请(专利权)人:复旦大学;
发明(设计)人:王亮兴; 陆明;
国别省市:上海;31


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