一种超高填充因子的太阳电池及其制备方法 CN201510694092.2

本发明属于太阳能光伏电池技术领域，具体为一种超高填充因子的太阳电池及其制备方法。本发明太阳电池的结构包括：上电极、界面层、PN结的发射层、PN结的基区、电池的钝化层、下电极；其中界面层材料的性质满足：界面层与发射层之间形成一个势垒；这个势垒方向与PN结方向相反；这个势垒高度最小为Eg-0.8eV，最大为Eg-0.4eV；形成这个势垒的材料向PN结区的扩散深度小于PN结的发射层厚度。界面层与PN结的发射层之间形成一个附加结。本发明改变了原来要求消除或降低太阳电池附加结势垒的思路，在PN结上形成反向串联的势垒高度适合的附加结，获得了超出太阳电池PN结理论最大值的填充因子，从而显著提高了电池转换效率。
专利类型：发明
专利号：201510694092.2
专利申请日：2015.10.25
公开（公告）日：2016.03.09
申请（专利权）人：复旦大学;
发明（设计）人：王亮兴; 陆明;
国别省市：上海;31