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一种晶体硅太阳能电池的表面钝化工艺 CN201510662345.8


本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的表面钝化工艺。它具体包括如下两个工艺:(a)低温表面热氧化工艺:在保证优异表面钝化质量的前提下,将氧化温度控制在800℃以下,激活扩散过程中形成的“死层”,达到与发射结扩散工艺的良好匹配;(b)表面氧化掺杂工艺:在氧化过程中,同时进行杂质掺杂,掺杂杂质导电类型与发射结相同。本发明的有益效果是:不仅提高了电池的转换效率,而且有效降低了组件封装损失;使氧化工艺可在发射结方阻高达100Ω/□以上的场合得以应用,解决了PERC电池FF恶化的问题。
专利类型:发明
专利号:201510662345.8
专利申请日:2015.10.14
公开(公告)日:2016.03.02
申请(专利权)人:横店集团东磁股份有限公司;
发明(设计)人:陈健生; 赵锋; 徐君; 包大新; 董方
国别省市:浙江;33


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