一种晶体硅太阳能电池的表面钝化工艺 CN201510662345.8
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的表面钝化工艺。它具体包括如下两个工艺：(a)低温表面热氧化工艺：在保证优异表面钝化质量的前提下，将氧化温度控制在800℃以下，激活扩散过程中形成的“死层”，达到与发射结扩散工艺的良好匹配；(b)表面氧化掺杂工艺：在氧化过程中，同时进行杂质掺杂，掺杂杂质导电类型与发射结相同。本发明的有益效果是：不仅提高了电池的转换效率，而且有效降低了组件封装损失；使氧化工艺可在发射结方阻高达100Ω/□以上的场合得以应用，解决了PERC电池FF恶化的问题。
专利类型：发明
专利号：
201510662345.8
专利申请日：
2015.10.14
公开（公告）日：
2016.03.02
申请（专利权）人：
横店集团东磁股份有限公司;
发明（设计）人：
陈健生; 赵锋; 徐君; 包大新; 董方
国别省市：
浙江;33
