一种背接触晶体硅太阳能电池及其制造方法 CN201310721870.3

一种背接触晶体硅太阳能电池包括硅基底，所述硅基底具有硅基底非受光面；所述硅基底非受光面上设置了交替排列分布的P型区和N型区；其中，在P型区和N型区交替区域相对的两侧，一侧设有P型区边缘条，另一侧设有N型区边缘条；P型边缘条垂直于P型区与N型区的延伸方向，N型边缘条垂直于P型区与N型区的延伸方向，P型区边缘条与P型区的端面连接，N型区边缘条与N型区的端面连接。在P型区和P型区边缘条上设有P型区汇流导电带，在N型区和所述N型区边缘条上设有N型区汇流导电带。此外，本发明中还包括一种用于制造太阳能电池的方法。
专利类型：发明
专利号：201310721870.3
专利申请日：2013.12.24
公开（公告）日：2014.04.23
申请（专利权）人：北京汉能创昱科技有限公司
发明（设计）人：李鸿儒;兰立广;童翔
国别省市：北京;11