一种晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺 CN201510302473.1

本发明涉及一种晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺，包括如下步骤：（1）进炉；（2）低温氧化；（3）低温气体反应沉积；（4）升温杂质再分布；（5）高温气体反应沉积；（6）降温杂质再分布；（7）低温气体反应沉积；（8）低温杂质再分布；（9）出炉。本发明可提高电池片的光电转化率，缩短生产时间，提高生产效率。
专利类型：发明
专利号：2015.06.05
专利申请日：2013.12.10
公开（公告）日：2016.01.27
申请（专利权）人：常州天合光能有限公司
发明（设计）人：王芹芹
国别省市：江苏;32