一种CIGS基薄膜太阳能电池及其制造方法 CN201510362598.3
一种用于形成CIGS基薄膜太阳能电池的方法，包括基板，在基板上沉积金属背电极层，接着对金属背电极层进行P1刻划，接着沉积一层MoSx(0
专利类型：发明
专利号：201510362598.3
专利申请日：2015.06.26
公开（公告）日：2015.12.9
申请（专利权）人：厦门神科太阳能有限公司
发明（设计）人：李艺明; 田宏波; 邓国云
国别省市：福建;35
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