一种金属硫化物纳米晶敏化晶硅电池片及其制备方法 CN201210189456.8

专利类型：发明
专利号：201210189456.8
专利申请日：2012.06.08
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.09.26
分类号：
申请（专利权）人：上海师范大学
发明（设计）人：余锡宾;冯吴亮;浦旭鑫;夏玉胜
国别省市：上海;31
本发明提供一种金属硫化物纳米晶敏化晶硅电池片并提供一种该电池片的原位生长制备方法，所述电池片包括晶硅电池片和原位生长在晶硅电池表面的致密的金属硫化物纳米晶层，金属硫化物纳米晶敏化层与硅基电池片形成QDs/Si异质结构，硅基电池片为单晶硅、多晶硅、非晶硅或微晶硅太阳能电池片。本发明通过在硅基电池片表面原位生长金属硫化物纳米晶/量子点的方法，充分利用纳米晶/量子点吸收光谱宽、吸收系数高的特性，提高晶硅电池片对太阳光的吸收效率；利用量子点的量子限域效应和多激子效应，提高热载流子的分离与捕获效率，提高晶硅太阳能电池的光电转化效率。此外，本发明具有工艺简单，反应时间短，生产成本低的优势，适用于工业化大规模生产。