光生伏打电池以及制造这种电池的方法 CN201480018609.X
一种光生伏打电池，包括半导体衬底，所述半导体衬底具有前表面和背表面。用于收集光电流的背表面场区和发射极区被设置成交替地位于衬底的背表面处，背表面场区中的至少一个背表面场区具有大于600微米的宽度。前浮置发射极层被设置在前表面处、背表面场区中所述至少一个背表面场区之上，其中，前浮置发射极层具有取决于背表面场区中所述一个背表面场区的宽度而选择的平均电导率。
专利类型：发明
专利号：
CN201480018609.X
专利申请日：
2014.03.03
公开（公告）日：
2015.11.25
申请（专利权）人：
荷兰能源研究中心基金会
发明（设计）人：
伊尔卡伊·赛萨尔; 安东尼厄斯·拉德堡德·布尔赫斯
国别省市：
荷兰;NL
