化合物薄膜太阳能电池的制作方法及制作的太阳能电池 CN201210060125.4

一种化合物薄膜太阳能电池的制作方法及制作的太阳能电池，是于真空腔体内在高温下以溅镀方式配合持续通入的硒蒸气进行吸收材料层制作，而其双渐层制作过程的控制条件包括有三阶段，第一阶段是于正规化功率0.35W±10%与0.5W±10%时分别导入铟及铜镓，而铟与铜镓的掺杂浓度比例为3.5：5；第二阶段是于正规化功率0.1W±10%、0.2W±10%与0.75W±10%时分别导入铜镓、铜及铟，而该铜镓、铜与铟的掺杂浓度比例为1：2：7.5；第三阶段是于正规化功率0.35W±10%与0.5W±10%时分别导入铟及铜镓，而该铟与铜镓的掺杂浓度比例为3.5：5；另于单层制程中省略该第二阶段。藉此，可使本发明达到制作过程快速、无毒、良率佳以及可制成较大面积的功效。
专利号：201210060125.4
专利申请日：2012.03.09
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.06.05
分类号：
申请（专利权）人：硕禾电子材料股份有限公司
发明（设计）人：朱容贤;赖明旺;洪东亿
国别省市：台湾;71