一种基于CdSe纳米晶体的钙钛矿太阳电池及制备方法 CN201410379067.0

本发明公开了一种基于CdSe纳米晶体的钙钛矿太阳电池及制备方法。该钙钛矿太阳电池包括从上到下依次排布的阳极、空穴传输层、钙钛矿光敏层、电子传输层、阴极和衬底，其中电子传输层为CdSe纳米晶体制备而成的薄膜。相对于目前常用的电子传输层材料ZnO和TiO2，CdSe纳米晶体具有较高的迁移率，且其能级与钙钛矿光敏层的能级良好地匹配，能够将钙钛矿光敏层产生的电子有效地传输到阴极，从而保证该太阳电池具有较高的光电能量转换效率。另外，CdSe纳米晶体的制备方法简单易行，并可直接通过低温的溶液加工法制备成膜，成本低，适用于工业化生产。
专利类型：发明
专利号：201410379067.0
专利申请日：2014.08.04
公开（公告）日：2014.11.26
申请（专利权）人：浙江大学
发明（设计）人：陈红征;王玲;傅伟飞;施敏敏;顾卓伟;范聪成;杨曦;李寒莹
国别省市：浙江;33