太阳能电池的选择性掺杂方法 CN201510291019.0
本发明涉及一种太阳能电池的选择性掺杂方法，步骤如下：在硅片上表面淀积磷硅玻璃；将淀积后的硅片进行高温扩散，使磷元素扩散入硅片，形成PN结；除去硅片上表面顶电极区以外的磷硅玻璃；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于无氧环境中进行高温扩散，使非硅片顶电极区的磷元素扩散入非晶硅层，顶电极区磷硅玻璃中的磷元素进一步向顶电极区扩散；去除硅片表面的非晶硅层和磷硅玻璃，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。
专利类型：发明
专利号：
201510291019.0专利申请日：
2013.04.01公开（公告）日：
2015.10.07申请（专利权）人：
南通大学发明（设计）人：
王强国别省市：
江苏;32
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