采用表面等离激元效应的倒置太阳电池结构及制备方法 CN201510270129.9

一种采用表面等离激元效应的倒置太阳电池结构，包括：一阴极透明导电衬底：一电子传输层，其制作在阴极透明导电衬底上；一金属-半导体核壳纳米颗粒层，其制作在电子传输层上；一有源层，其制作在金属-半导体核壳纳米颗粒层上；一空穴传输层，其制作在有源层上；一阳极电极，其制作在空穴传输层上。本发明是将金属-半导体核壳纳米颗粒引入电子传输层与有源层界面处，既能够发挥金属表面等离激元增强光吸收的效果，又能避免金属纳米颗粒与有源层直接接触形成电荷复合中心，同时壳层与电子传输层能级匹配，有利于电荷分离和传输。能够有效提高太阳电池光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：201510270129.9
专利申请日：2015.05.25
公开（公告）日：2015.09.16
申请（专利权）人：china科学院半导体研究所;
发明（设计）人：卢树弟; 曲胜春; 刘孔; 池丹; 李彦沛; 寇艳蕾; 岳世忠; 王占国
国别省市：北京;11