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CIGS基或CZTS基薄膜太阳能电池及其制备方法 CN201310407360.9

 
提供了一种铜铟镓硒(CIGS)基或铜锌锡硫(CZTS)基太阳能电池,该太阳能电池包括背电极层和光吸收层,其中,光吸收层具有CuxInyGa1-y(SzSe1-z)2(其中,0.85≦x<1、0<y<1、0<z<1,并且x、y和z中的每个都代表实数)或Cu(2-p)Zn(2-q)Snq(SrSe(1-r))4(其中,1.4≦p<2、0<q<2、0<r<2,并且p、q和r中的每个都代表实数)的组分。所述CIGS基或CZTS基薄膜太阳能电池不引起层间分层并且改善耐久性和光电转换效率。还提供了一种CIGS基或CZTS基薄膜太阳能电池的制备方法,通过该方法控制钼背电极层向二硒化钼的转变。
专利号:201310407360.9
专利申请日:2013.09.09
公开(公告)日:2014.05.21
申请(专利权)人:韩国科学技术研究院
发明(设计)人:朴钟九;赵素惠;宋奉根;李昇勇;朴甫仁;朴滢浩
国别省市:韩国;KR


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