CIGS基或CZTS基薄膜太阳能电池及其制备方法 CN201310407360.9

　
提供了一种铜铟镓硒（CIGS）基或铜锌锡硫（CZTS）基太阳能电池，该太阳能电池包括背电极层和光吸收层，其中，光吸收层具有Cu_xIn_yGa_1-y(S_zSe_1-z)₂（其中，0.85≦x<1、0<y<1、0<z<1，并且x、y和z中的每个都代表实数）或Cu_(2-p)Zn_(2-q)Sn_q(S_rSe_(1-r))₄（其中，1.4≦p<2、0<q<2、0<r<2，并且p、q和r中的每个都代表实数）的组分。所述CIGS基或CZTS基薄膜太阳能电池不引起层间分层并且改善耐久性和光电转换效率。还提供了一种CIGS基或CZTS基薄膜太阳能电池的制备方法，通过该方法控制钼背电极层向二硒化钼的转变。
专利号：201310407360.9
专利申请日：2013.09.09
公开（公告）日：2014.05.21
申请（专利权）人：韩国科学技术研究院
发明（设计）人：朴钟九;赵素惠;宋奉根;李昇勇;朴甫仁;朴滢浩
国别省市：韩国;KR