一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法 CN201210192751.9

专利类型：发明
专利号：201210192751.9
专利申请日：2012.06.11
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.09.26
分类号：
申请（专利权）人：林刘毓;张准
发明（设计）人：林刘毓;张准
国别省市：台湾;71
本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，其包括：a）在衬底上制备钼背电极；b）在该钼背电极上制备铜铟镓硒吸收层；c）进行退火处理；d）在铜铟镓硒吸收层上制备In2Se3或ZnS缓冲层；e）在所述In2Se3或ZnS缓冲层上制备本征氧化锌高阻抗层；f）在所述本征氧化锌高阻抗层上制备氧化铟锡薄膜低阻抗层；g）在氧化铟锡薄膜低阻抗层上制备铝电极。