一种CIGS基薄膜太阳电池及其制备方法 CN201410453641.2

一种CIGS基薄膜太阳电池及其制备方法，该制备方法如下：在玻璃基板上形成一含有Li、K中至少一种元素的碱过滤层、在碱过滤层上形成一背电极层、在背电极上形成一光吸收层、在光吸收层上形成一缓冲层、在缓冲层上形成一n型透明导电层，其特征在于具有一定厚度的碱过滤层允许一部分碱金属离子从玻璃基板扩散进入CIGS基光吸收层中，更进一步在CIGS基光吸收层的外侧添加一定量的碱金属。
专利类型：发明
专利号：201410453641.2
专利申请日：2014.09.05
公开（公告）日：2015.05.13
申请（专利权）人：厦门神科太阳能有限公司
发明（设计）人：李艺明; 田宏波
国别省市：福建;35