体钝化的晶体硅太阳能电池及其体钝化方法 CN201510026844.8

本发明提供了一种用于体钝化晶体硅太阳能电池的方法，该晶体硅太阳能电池包括半导体结构以及分别位于该半导体结构的正反两面的钝化层，该半导体结构包括硼掺杂区域，该方法包括为该硼掺杂区域提供氢；在第一温度下对该晶体硅太阳能电池进行光注入达第一预定时段；以及在第二温度下对该晶体硅太阳能电池进行光注入达第二预定时段，其中该第二温度低于该第一温度。
专利类型：发明
专利号：201510026844.8
专利申请日：2015.01.19
公开（公告）日：2015.05.06
申请（专利权）人：常州天合光能有限公司
发明（设计）人：陈奕峰; 崔艳峰; 王子港; 丁志强; 顾卫龙; 张荣; 冯志强; 皮尔·雅各·威灵顿
国别省市：江苏;32