一种晶硅电池及其制作方法 CN201410839687.8

本发明提供了一种晶硅电池及其制作方法，包括如下步骤：制绒、扩散制结、刻边、去磷硅玻璃、淀积氮化硅减反射层、印刷电极、烧结及测试分选，在上述步骤中引入二次刻边工艺，去除晶硅电池片边缘的氮化硅层，提升晶硅电池的并联电阻，从而改进了晶硅电池的光电转换效率。另外，上述二次刻边工艺可选择在淀积氮化硅减反射层工艺后引入，去除电池边缘的氮化硅层；或者在烧结工艺后引入去除电池边缘的氮化硅层。本发明方法简单，易操作，且不受其它工艺步骤限制。
专利类型：发明
专利号：201410839687.8
专利申请日：2014.12.30
公开（公告）日：2015.04.22
申请（专利权）人：浙江贝盛光伏股份有限公司
发明（设计）人：陈作庚; 吕文辉; 龚熠
国别省市：浙江;33