一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺 CN201410658601.1

本发明公开了一种用于制备组件抗PID特性的晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺，可以在保证电池片转换效率不下降的前提下，制备出具有抗PID特性的太阳能电池封装组件。它在硅片表面沉积一种由内到外的氮化硅——二氧化硅——氮化硅叠层减反射膜，使叠层膜具有：内层氮化硅膜具有良好的氢体钝化效果，保证电池片转换效率不下降；二氧化硅膜具有阻碍Na4离子特性，以致组件具有抗PID效果。本发明的有益效果是：只需要调整PECVD镀膜工艺方案，不需要添加设备，不增加电池制程工序，就可以在保证转换效率不下降的前提下，具有抗PID效果；该方案简单可行、成本低廉，且能够用于工业化大生产；适用于所有单晶、多晶晶硅太阳能电池的管式PECVD镀膜设备。
专利类型：发明
专利号：201410658601.1
专利申请日：2014.11.19
公开（公告）日：2015.04.08
申请（专利权）人：横店集团东磁股份有限公司
发明（设计）人：陈金灯; 李虎明
国别省市：浙江;33