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一种薄膜太阳能电池的制备方法 CN201410828273.5


本发明公开了一种薄膜太阳能电池的制备方法,该制备方法包括步骤:在玻璃衬底上通过LPCVD沉积BZO薄膜;在氢气气氛下对所述BZO薄膜进行退火处理;在所述BZO薄膜上形成第一开口,并对所述BZO薄膜进行清洗;在所述BZO薄膜上形成发射极层,所述发射极层覆盖所述第一开口;在所述发射极层上紧邻所述第一开口形成第二开口;在所述发射极层上形成背电极,所述背电极覆盖所述第二开口;在所述背电极以及所述发射极层上形成第三开口。本发明提供的制备方法可以有效提高薄膜太阳能电池的光电转换效率,降低生产成本。
专利类型:发明
专利号:201410828273.5
专利申请日:2014.12.26
公开(公告)日:2015.04.01
申请(专利权)人:浙江正泰太阳能科技有限公司
发明(设计)人:李旺; 牛新伟; 刘石勇; 王仕鹏; 黄海燕; 陆川
国别省市:浙江;33


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