基于二硫化钨纳米片材料的有机太阳电池及其制备方法 CN201410710313.6

本发明公开了一种基于二硫化钨纳米片材料的有机太阳电池及其制备方法。包括从上到下依次排布的阴极、电子传输层、有机光敏层、空穴传输层、阳极和衬底，其中空穴传输层为二硫化钨纳米膜，由二硫化钨纳米片制备而成。本发明采用的二硫化钨纳米膜，相对于目前现有空穴传输材料，制备方法简单，可溶液加工，无需高温退火，将其用于有机太阳电池中，可以取得和现有常用的空穴传输材料等效的效果，具有较好的应用前景，对推动有机太阳电池的产业化应用具有重要意义。
专利类型：发明
专利号：201410710313.6
专利申请日：2014.11.30
公开（公告）日：2015.03.25
申请（专利权）人：浙江大学
发明（设计）人：陈红征; 马春燕; 傅伟飞; 王玲; 杨曦; 徐明生
国别省市：浙江;33