晶面择优生长的单晶MoO3锂离子电池正极材料的制备方法 CN201410788967.0

本发明公开了一种晶面择优生长的单晶MoO3锂离子电池正极材料的制备方法，其特征在于：将收集好的甘蔗渣用去离子水清洗，烘干，再将所得甘蔗渣模板放入1-10％的钼酸铵水溶液中浸渍，甘蔗渣和钼酸铵水溶液的重量比为1-7∶93-99，待模板完全浸透后取出，并于60℃烘干；再将干燥后的吸附有钼酸铵的甘蔗渣模板在空气气氛中，控制温度400-600℃，煅烧时间2-5小时，得到MoO3锂离子电池正极粉体材料。本发明方法简单、成本低、环保性好，制备的晶面择优生长的单晶MoO3，单晶及择优生长材料可提高材料的电导性及改善其循环稳定性，具有很好的经济效益和社会效益，绿色环保。
专利类型：发明
专利号：201410788967.0
专利申请日：2014.12.19
公开（公告）日：2015.03.25
申请（专利权）人：桂林电子科技大学
发明（设计）人：颜东亮; 徐华蕊; 朱归胜; 张欢
国别省市：广西;45