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一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺 CN201310405924.5


本发明提供了一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺,通过在较低温度下利用PECVD方法来沉积呈交叉指型交替分布的P型和N型非晶硅薄膜,并且通过采用掩膜版与不同遮板的组合分别沉积P型和N型非晶硅薄膜,来避免现有技术中因刻蚀步骤所引入的损伤,同时,由于不需要频繁的清洗掩膜版和遮板,也简化了HIT电池与IBC电池的结合步骤,适用于工业生产。
专利类型:发明
专利号:201310405924.5
专利申请日:2013.09.09
公开(公告)日:2015.03.18
申请(专利权)人:上海理想万里晖薄膜设备有限公司
发明(设计)人:胡宏逵; 耿茜; 吴科俊; 王燕玲
国别省市:上海;31


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