一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺 CN201310405924.5
本发明提供了一种低温制备正面无栅极的异质结太阳电池的工艺，通过在较低温度下利用PECVD方法来沉积呈交叉指型交替分布的P型和N型非晶硅薄膜，并且通过采用掩膜版与不同遮板的组合分别沉积P型和N型非晶硅薄膜，来避免现有技术中因刻蚀步骤所引入的损伤，同时，由于不需要频繁的清洗掩膜版和遮板，也简化了HIT电池与IBC电池的结合步骤，适用于工业生产。
专利类型：发明
专利号：
201310405924.5专利申请日：
2013.09.09公开（公告）日：
2015.03.18申请（专利权）人：
上海理想万里晖薄膜设备有限公司发明（设计）人：
胡宏逵; 耿茜; 吴科俊; 王燕玲国别省市：
上海;31
