一种具备新型中间层结构的硅薄膜太阳能电池 CN201210184946.9

专利类型：发明
专利号：201210184946.9
专利申请日：2012.06.07
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.09.26
分类号：
申请（专利权）人：保定天威薄膜光伏有限公司
发明（设计）人：高锦成;黄跃龙;王志强;朱红兵;王颖;关峰;薛萌;马云祥;孙晓东;延小鹏;许浩宾
国别省市：河北;13
本一种新型中间层结构的高效硅薄膜太阳能电池结构，包括：在硅薄膜太阳能电池中引入新型中间层结构，中间层结构包括多层n型微晶氧化硅材料或n型微晶氮化硅材料结构，或者多层n型微晶氧化硅材料和n型微晶氮化硅材料的复合结构，其层数为2层至10层，中间层的折射率范围在1.4-2.5，厚度范围在10-100nm。本发明的积极效果：可以在保持非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的顶电池本征层厚度不变的同时，提高顶电池的短路电流密度以及电池的光电转化效率，可以应用于硅基薄膜太阳能电池的制备以及实际批量工业生产。