太阳能电池单元的制造方法 CN201280071317.3

具有：形成杂质扩散层的工序；在半导体基板的一面侧形成与杂质扩散层电连接的受光面侧电极的工序；在半导体基板的另一面侧形成背面侧电极的工序；以及在受光面侧电极形成前的任意时间点，在半导体基板的一面侧的表面形成具有倒金字塔形状的凹部的凹凸构造，并且包括保护膜形成工序，在半导体的一面侧形成保护膜；第1加工工序，利用加工处理效率相对高的方法，在保护膜形成接近所希望的开口形状、比作为目标的开口尺寸小的多个第1开口部；第2加工工序，利用加工处理精度相对高的方法，扩大第1开口部到作为目标的开口尺寸为止，在保护膜形成第2开口部；以及蚀刻工序，经由第2开口部，进行第2开口部的下部区域的半导体基板的各向异性湿法蚀刻，从而在半导体基板的一面侧形成倒金字塔形状的构造。
专利类型：发明
专利号：201280071317.3
专利申请日：2012.03.12
公开（公告）日：2014.12.10
申请（专利权）人：三菱电机株式会社
发明（设计）人：唐木田升市
国别省市：日本;JP