铜锌锡硫吸收层薄膜及铜锌锡硫太阳能电池的制备方法 CN201410021101.7
本发明公开了铜锌锡硫吸收层薄膜的制备方法，采用电化学共沉积CZTS前驱体后硫化得到CZTS太阳能电池吸收层。本发明进一步公开了铜锌锡硫薄膜太阳能电池的制备方法。本发明可在常温常压下操作，易调控，避免H2S污染，设备简单，成本节约，制得的铜锌锡硫吸收层薄膜表面光滑且非常致密，制得的电池效率高，本发明可广泛用于大规模工业生产。
专利类型：发明
专利号：
201410021101.7专利申请日：
2014.01.17公开（公告）日：
2014.04.30申请（专利权）人：
华东师范大学发明（设计）人：
陶加华;孙琳;杨平雄;褚君浩国别省市：
上海;31
