一种全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法 CN201410423997.1

本发明公开了一种全背电极P型晶硅异质结太阳电池的制备方法，该方法包括：在P型硅基底前表面制备纳米绒面、P+型硼浅扩散晶硅层和SiOx钝化/SiNx减反层；在P型硅基底背面制备P++型硼重扩散晶硅层，然后采用印刷腐蚀浆料实现对P++型硼重扩散晶硅层局部腐蚀，再依次沉积一层本征非晶硅薄膜层和一层n型非晶硅薄膜层，去除P++型硼重扩散晶硅层区域表层的本征和n型非晶硅；然后溅射一层透明导电薄膜层，用激光将P型硅基底背面的P区和N区分开；最后印刷电极，低温烧结。该方法将金属电极全部移至电池背面，受光面没有电极，降低了组件生产成本、电池的复合损失，从而光学损失和电阻均显著减少，效率大幅提升。
专利类型：发明
专利号：201410423997.1
专利申请日：2014.08.26
公开（公告）日：2014.11.26
申请（专利权）人：china电子科技集团公司第四十八研究所
发明（设计）人：刘文峰;周洪彪;程文进;汪已琳
国别省市：湖南;43