一种硅太阳电池栅极制造方法 CN201310184954.8

本发明提供一种硅太阳电池栅极制造方法。现有技术未去除电镀沟槽中的氧化层和残留的电镀掩膜层，易导致镀的籽晶金属层与硅的接触面积小而使电镀栅极易剥离且电阻较大；并在烧结形成籽晶硅合金层后直接电镀电极金属层导致籽晶与硅界面间留有应力而使电镀栅极易剥离。本发明的硅太阳电池栅极制造方法先提供正面沉积有电镀掩膜层的待镀硅太阳电池，接着形成穿透电镀掩膜层的电镀沟槽，然后刻蚀去除电镀沟槽中的氧化硅和残留的电镀掩膜层，之后在电镀沟槽中沉积籽晶金属层并烧结形成籽晶硅合金层，接着腐蚀或退镀去除籽晶金属层并电镀籽晶和电极金属层。本发明可有效提高电镀栅极的强度和对应硅太阳电池和组件的可靠性，并可有效降低其串联电阻。
专利类型：发明
专利号：201310184954.8
专利申请日：2013.05.16
公开（公告）日：2014.11.26
申请（专利权）人：无锡尚德太阳能电力有限公司
发明（设计）人：陈丽萍;钱洪强;张婷;鲁科;陈如龙;杨健
国别省市：江苏;32