三结级联太阳能电池及其制作方法 CN201210492884.8

本申请公开了一种三结级联太阳能电池，包括底层的Ge电池、中间层的InGaAs电池以及顶层的（Al）GaInP电池，所述中间层的InGaAs电池内嵌有In（Ga）As量子点。本发明还公开了一种三结级联太阳能电池的制作方法。本发明在传统晶格匹配的三结(Al)GaInP/InGaAs/Ge电池中内嵌In(Ga)As量子点，通过量子点材料对低能光子的吸收及载流子的分离，充分利用量子点的层间耦合，量子点密度影响量子效率及太阳电池光电转换效率的物理机制，实现传统的多结结构与新型量子点结构的有效结合，获得光电流匹配的三结电池的带隙设计和调控，更大限度地实现对太阳光低能光谱的吸收，从而提高其转换效率。
专利类型：发明
专利号：201210492884.8
专利申请日：2012.11.28
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.3.20
分类号：
申请（专利权）人：china科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明（设计）人：代盼;陆书龙;杨辉
国别省市：江苏;32