一种实现多晶硅太阳能电池蜂窝陷光绒面的方法 CN201410303634.4

本发明涉及一种实现多晶硅太阳能电池蜂窝陷光绒面的方法，利用PECVD方法在硅片表面沉积一层一定厚度的SiNx掩膜，采用丝网印刷技术在硅片表面选择性印刷腐蚀性浆料，待SiNx掩膜被腐蚀性浆料充分腐蚀后用DI水清洗，然后用酸性刻蚀液HNO3+HF对硅片印刷腐蚀性浆料区域进行腐蚀，再用HF去除SiNx掩膜，并用低浓度HNO3和HF混合溶液去除硅片表面损伤层，获得具有优质陷光效果的蜂窝绒面。采用本发明方法可有效避免化学制绒（尤其酸制绒）的低陷光效果，及干法制绒（等离子制绒）的高表面损伤等缺点，对于其蜂窝绒面陷光结构有很大的选择性，并能有效提高电池性能。
专利类型：发明
专利号：201410303634.4
专利申请日：2014.06.30
公开（公告）日：2014.10.15
申请（专利权）人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
发明（设计）人：徐华浦;金浩;蒋方丹;陈康平;郭俊华
国别省市：浙江;33