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一种实现多晶硅太阳能电池蜂窝陷光绒面的方法 CN201410303634.4


本发明涉及一种实现多晶硅太阳能电池蜂窝陷光绒面的方法,利用PECVD方法在硅片表面沉积一层一定厚度的SiNx掩膜,采用丝网印刷技术在硅片表面选择性印刷腐蚀性浆料,待SiNx掩膜被腐蚀性浆料充分腐蚀后用DI水清洗,然后用酸性刻蚀液HNO3+HF对硅片印刷腐蚀性浆料区域进行腐蚀,再用HF去除SiNx掩膜,并用低浓度HNO3和HF混合溶液去除硅片表面损伤层,获得具有优质陷光效果的蜂窝绒面。采用本发明方法可有效避免化学制绒(尤其酸制绒)的低陷光效果,及干法制绒(等离子制绒)的高表面损伤等缺点,对于其蜂窝绒面陷光结构有很大的选择性,并能有效提高电池性能。
专利类型:发明
专利号:201410303634.4
专利申请日:2014.06.30
公开(公告)日:2014.10.15
申请(专利权)人:浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
发明(设计)人:徐华浦;金浩;蒋方丹;陈康平;郭俊华
国别省市:浙江;33


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