一种晶体硅太阳能电池的加工方法 CN201410251454.6

本发明涉及一种晶体硅太阳能电池的加工方法，有如下步骤：将硅片进过表面结构化、制作发射极、周边刻蚀、磷硅玻璃去除、氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结；最后将所得电池片进行高温退火。该方法对电池片中的微缺陷进行了有效修复的同时可以有效的提高氮化硅薄膜的均匀性以及致密性，增加了氮化硅薄膜的钝化效果，这样电池片的少数载流子寿命得到了一定提高，可使短路电流密度提高0.01-1mA/cm2，开路电压提高0.5-5mV，转化效率提高0.01-0.3%；另外，经过高温退火的电池片可以提高其抗PID的能力，具有重大的生产实践价值，增强企业的竞争力。
专利类型：发明
专利号：201410251454.6
专利申请日：2014.06.09
公开（公告）日：2014.09.17
申请（专利权）人：山东力诺太阳能电力股份有限公司
发明（设计）人：任现坤;姜言森;贾河顺;马继磊;张春艳;徐振华;王光利;尹兰超;黄国强
国别省市：山东;37