薄膜太阳能电池及其形成方法 CN201310306356.3
太阳能电池包括：背面接触层、背面接触层上的吸收层、吸收层上的缓冲层以及缓冲层之上的正面接触层。正面接触层具有第一部分和第二部分。正面接触层的第一部分和第二部分的厚度或掺杂浓度相互不同。本发明提供了薄膜太阳能电池及其形成方法。
专利类型：发明
专利号：
201310306356.3专利申请日：
2013.07.19公开（公告）日：
2014.09.17申请（专利权）人：
台积太阳能股份有限公司发明（设计）人：
程子桓;蔡明典国别省市：
台湾;71
