薄膜太阳能电池及其形成方法 CN201310306356.3

太阳能电池包括：背面接触层、背面接触层上的吸收层、吸收层上的缓冲层以及缓冲层之上的正面接触层。正面接触层具有第一部分和第二部分。正面接触层的第一部分和第二部分的厚度或掺杂浓度相互不同。本发明提供了薄膜太阳能电池及其形成方法。
专利类型：发明
专利号：201310306356.3
专利申请日：2013.07.19
公开（公告）日：2014.09.17
申请（专利权）人：台积太阳能股份有限公司
发明（设计）人：程子桓;蔡明典
国别省市：台湾;71

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