GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池及其制备方法 CN201310223613.7

本发明公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池，包括GaAs衬底以及GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP/InGaAs双结电池，所述GaAs衬底具有双面生长结构;所述GaAs衬底的第一面设置有GaInP/GaAs双结电池，第二面设置有一渐变过渡层，并通过该渐变过渡层与所述InGaAsP/InGaAs双结电池级联。该四结级联太阳电池带隙组合为1.90eV，1.42eV，～1.03eV，0.73eV，各个子电池的电流失配小，减小了光电转换过程中的热能损失，提高了电池效率。
专利类型：发明
专利号：201310223613.7
专利申请日：2013.06.06
公开（公告）日：2013.10.09
申请（专利权）人：china科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明（设计）人：赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉
国别省市：江苏;32