通过基板表面处理提高电池性能的薄膜电池及其制造方法 CN201280062301.6
本发明涉及能够防止因阴极活性物质与基板的副反应而使电池性能下降的薄膜电池及其制造方法。本发明的薄膜电池具有阴极活性物质与基板相接触的结构；在上述基板的表面中，至少在上述阴极活性物质与基板相接触的部分形成第一表面处理层，上述第一表面处理层包含与上述阴极活性物质具有非反应性的物质。
专利类型：发明
专利号：
201280062301.6专利申请日：
2012.11.02公开（公告）日：
2014.09.10申请（专利权）人：
GS爱能吉股份有限公司发明（设计）人：
尹泳晋;高在焕国别省市：
韩国;KR
