形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法及CIGS太阳能电池 CN201380004295.3

本发明涉及一种用于形成CIGS光吸收层的方法，其可以在衬底的Na浓度低，由此CIGS光吸收层的耗尽层厚的情况下，提高太阳能电池的效率。本发明的方法通过三步真空共蒸发法形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层，并包括：同时真空蒸发In、Ga和Se的第一步骤；同时真空蒸发Cu和Se的第二步骤；和真空蒸发In、Ga和Se的第三步骤。在第一步骤中蒸发并供应的Ga的量大于在第三步骤中蒸发并供应的Ga的量。根据本发明的另一方面的CIGS太阳能电池包括：衬底；在衬底上形成的电极层；和在电极层上形成的CIGS光吸收层。在电极层和CIGS光吸收层的界面处的Ga/(In+Ga)的比率为0.45或更高。本发明的方法配置为使得在通过三步真空共蒸发法形成CIGS光吸收层的方法中，提高第一步骤中Ga的蒸发量，使得能够在Na浓度低的衬底上形成CIGS光吸收层，从而提高深度深的耗尽层的CIGS太阳能电池的效率。
专利类型：发明
专利号：201380004295.3
专利申请日：2013.07.10
公开（公告）日：2014.08.27
申请（专利权）人：韩国ENERGY技术硏究院
发明（设计）人：尹载浩;郭智惠;安世镇;尹庆勋;申基植;安承奎;赵阿拉;朴相炫;朴海森;崔森武
国别省市：韩国;KR