一种含新型隧穿结的晶格失配太阳能电池及其制备方法 CN201610562253.7

本发明公开了一种含新型隧穿结的晶格失配太阳能电池及其制备方法，以Ge单晶为衬底，在该衬底表面自下而上依次生长有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、晶格渐变缓冲层、第一新型隧穿结、GaInAs子电池、第二新型隧穿结和GaInP子电池。其中，第一新型隧穿结和第二新型隧穿结均包括一层简并的p型镓铟氮砷(Ga1‑yInyNxAs1‑x)和一层简并的n型镓铟砷(Ga1‑zInzAs)，两层材料的晶格常数分别与其相邻半导体层材料一致或失配度小于3％，每层的厚度均在5到100nm范围内。本发明采用的新型隧穿结不仅具有比普通隧穿结更优的高电导、强透光性，更重要的作为一种刚性材料可以过滤大量穿透位错和失配位错，降低非辐射复合，提高少子寿命，从而提高光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：201610562253.7
专利申请日：2016.07.14
公开（公告）日：2016.10.12
申请（专利权）人：中山德华芯片技术有限公司;
发明（设计）人：刘雪珍; 周文远; 吴波; 刘建庆; 张小宾; 杨翠柏;
国别省市：广东;44