N型晶体硅双面电池及其制备方法 CN201410209448.4

　
本发明公开了N型晶体硅双面电池，属于太阳能电池技术领域，包括N型硅衬底、硼掺杂层、电池的正极、氧化铝钝化层、氮化硅减反射层、离子注入磷掺杂层、氮化硅钝化及减反射层、电池的负极；本发明还公开了该电池的制备方法，具体包括1）化学清洗；2）加入硼源；3）下表面注入磷源并退火；4）上表面制备氧化铝钝化层和第一氮化硅减反射层；5）下表面制备第二氮化硅减反射层；6）制备电池的正极和电池的负极；7）烧结。本发明的N型晶体硅双面电池，使得电池稳定性能提高，降低了对短波的吸收，提高了蓝光响应，提高电池的短路电流密度，电池效率得到提升；制备该电池的方法，简化了双面电池的制程，具有很好的实用性。
专利号：201410209448.4
专利申请日：2014.05.16
公开（公告）日：2014.08.20
申请（专利权）人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
发明（设计）人：高艳涛;张斌;邢国强
国别省市：江苏;32