锂离子电池负极材料中空锗纳米管阵列电极及其制备方法 CN201410137941.X
本发明公开了一种锂离子电池负极材料中空锗纳米管阵列电极及其制备方法，其特征在于该电极结构为三维阵列，阵列高度为5μm-10μm，是由立体垂直排列的锗纳米管组成，纳米管为中空结构，空腔直径在100nm-270nm之间，壁厚在10nm-30nm之间，相邻纳米管间距为50nm-100nm。该电极制备方法主要包括：在阳极氧化铝模板中通过磁控溅射制备锗纳米线阵列，然后通过磁控溅射制备铋包覆锗纳米线阵列，最后通过高温退火处理制备中空锗纳米管阵列电极。该发明的优势在于可利用三维阵列结构的空间优势提高锂离子电池容量，并利用空腔结构解决锗为锂离子电池负极材料的体积膨胀问题，改善电池循环性能，延长电池寿命。
专利类型：发明
专利号：
201410137941.X专利申请日：
2014.04.01公开（公告）日：
2014.07.23申请（专利权）人：
太原理工大学发明（设计）人：
郭美卿;郭章新;李媛媛;叶家业;李征国别省市：
山西;14
