SnS/ZnS叠层薄膜太阳能电池制备方法 CN201410193781.0

本发明公开了一种SnS/ZnS叠层薄膜太阳能电池制备方法，属于太阳能电池技术领域。该方法包括如下步骤：a、将FTO导电玻璃清洗干净，安装于磁控溅射机基片座上；b、开启真空抽气系统抽真空；c、通入氩气，执行预溅射程序；d、再次执行抽本底真空；e、再次通入氩气，当真空室内真空度达到2～9×10-1Pa后，开启SnS靶材的溅射电源制备SnS薄膜；SnS薄膜制备完成后制备ZnS薄膜；f、重复操作，总共制备2～4个P-N结；g、制备Al薄膜后即得到SnS/ZnS叠层薄膜太阳能电池。本发明方法能够提高电池光吸收率，即能提高电池光电转换效率，制备过程稳定、温度低、能耗低，适于大范围的工业推广应用。
专利类型：发明
专利号：201410193781.0
专利申请日：2014.05.09
公开（公告）日：2014.07.16
申请（专利权）人：攀枝花学院
发明（设计）人：霍红英;邹敏;张勇;范文娟
国别省市：四川;51