硅基异质结太阳能电池真空处理系统及电池制备方法 CN201210589702.9

　
本发明涉及一种硅基异质结太阳能电池的真空处理系统及电池的制备方法，所述硅基异质结太阳能电池真空处理系统包括：将装有硅片的托盘传入或传出所述真空处理系统的进/出片腔，至少一个反应腔，在所述反应腔内对硅片进行化学气相沉积处理以沉积非晶硅薄膜，所述真空处理系统中还含有保持真空环境的氧化层蚀刻腔，用于去除硅片表面的氧化物。本发明通过将氧化层蚀刻过程和沉积非晶硅薄膜过程集中于一个真空处理系统中，可以避免大气传输中的大气污染，有利于提高电池转换效率，同时，降低了制绒工序和钝化工序间严格的时间要求，有利于实现大规模生产并且提高产品的生产良率。
专利号：201210589702.9
专利申请日：2012.12.28
公开（公告）日：2014.07.2
申请（专利权）人：理想能源设备(上海)有限公司
发明（设计）人：胡宏逵;马哲国;耿茜;李一成
国别省市：上海;31