用于太阳能电池制造的背接点通孔形成工艺 CN201280052371.3

　
本发明的实施例提及高效率太阳能电池的形成，高效率太阳能电池的形成利用激光图案化工艺以在太阳能电池基板的表面上的钝化层中形成开口。在一个实施例中，在太阳能电池基板上的钝化层中形成开口的方法包括：在基板的背面上形成钝化层，基板具有在基板的背面上的第一类型的掺杂原子以及在基板的正面上的第二类型的掺杂原子；及提供一系列激光脉冲至钝化层达约500皮秒与约80奈秒之间以在钝化层中形成开口。
专利号：201280052371.3
专利申请日：2012.10.08
公开（公告）日：2014.06.25
申请（专利权）人：应用材料公司
发明（设计）人：M·P·斯图尔特;J·L·富兰克林
国别省市：美国;US