石墨烯及蓄电装置、及它们的制造方法 CN201280047563.5
石墨烯的形成方法包括如下步骤：在第一导电层上形成含有氧化石墨烯的层；在其中浸渍了作为工作电极的第一导电层及作为对电极的第二导电层的电解液中，对第一导电层提供使氧化石墨烯在此发生还原反应的电位。包括至少正电极、负电极、电解液、及隔离体的蓄电装置的制造方法，包括形成通过上述形成方法形成的正电极和负电极中的一个或两个的活性材料层的石墨烯的步骤。
专利类型：发明
专利号：
201280047563.5专利申请日：
2012.09.20公开（公告）日：
2014.06.11申请（专利权）人：
株式会社半导体能源研究所发明（设计）人：
等等力弘笃;斋藤祐美子;川上贵洋;野元邦治;汤川干央国别省市：
日本;JP
