一种硅太阳能单晶电池片双层减反膜的制备工艺 CN201210499374.3

本发明涉及一种硅太阳能单晶电池片双层减反膜的制备工艺。该双层膜的制备步骤：(1)将正常生产的硅片经过制绒、扩散和PSG清洗；(2)在清洗后的硅片利用管式PECVD沉积第一层氮化硅薄膜；(3)在第一层氮化硅薄膜表面沉积第二层氮化硅薄膜；经过2次沉积后，制备的氮化硅薄膜其膜厚为85nm，折射率为2.06。本发明可以使硅片表面的钝化更加充分，效果更明显。并且可以增加对光的吸收，进而增加了光生载流子的数量，提高电池片的效率。此工艺沉积的双层膜对硅片表面有更好的覆盖作用，可以完全避免电池片镀膜后留下的针孔状，对电池片表面的防氧化效果更明显，增加电池片的使用寿命。
专利类型：发明
专利号：201210499374.3
专利申请日：2012.11.27
公开（公告）日：2014.06.04
申请（专利权）人：陕西天宏硅材料有限责任公司
发明（设计）人：刘松林;李咏梅;陆迪;童林剑;杨文伟;马赛;杨琪
国别省市：陕西;61