半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法 CN201410052421.9

本发明涉及一种半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅薄膜太阳能电池的上表面生长一层介质膜；步骤2：在介质膜上生长一层金属纳米颗粒；步骤3：在硅薄膜太阳能电池下表面刻蚀出二维纳米柱硅光栅结构；步骤4：在二维纳米柱硅光栅结构上生长一层背电极；步骤5：在背电极上生长一层背反射器层，完成制备。本发明是利用前表面金属颗粒和背面光栅结构对入射光不同的作用范围，展宽对入射光的作用范围，本发明降低了光的反射率，提高了薄膜太阳能电池对入射光的吸收。
专利类型：发明
专利号：201410052421.9
专利申请日：2014.02.17
公开（公告）日：2014.05.21
申请（专利权）人：china科学院半导体研究所
发明（设计）人：时彦朋;王晓东;刘雯;杨添舒;杨富华
国别省市：北京;11