半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法 CN201410052413.4

一种半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法，包括以下步骤：步骤1：在玻璃衬底上通过溅射生长一层反射镜；步骤2：在反射镜上沉积一层第一金属纳米颗粒；步骤3：在第一金属纳米颗粒上生长第一背电极；步骤4：在第一背电极上再沉积一层第二金属纳米颗粒；步骤5：在第二金属纳米颗粒上再沉积一层第二背电极；步骤6：在第二背电极上生长一层薄膜太阳能电池材料；步骤7：在薄膜太阳能电池材料的上表面上刻蚀出二维光栅结构；步骤8：在二维光栅结构上生长一层前电极，完成制备。本发明是利用前表面光栅和背面双层金属纳米结构对入射光形成多次散射作用，增强对入射光及透射光的作用效果。
专利类型：发明
专利号：201410052413.4
专利申请日：2014.02.17
公开（公告）日：2014.05.21
申请（专利权）人：china科学院半导体研究所
发明（设计）人：时彦朋;王晓东;刘雯;杨添舒;马静;杨富华
国别省市：北京;11