一种P型晶体硅太阳能电池的钝化层及其钝化工艺 CN201410031066.7
本发明公开了一种P型晶体硅太阳能电池的钝化层及其钝化工艺，钝化层是由氧化铒构成。其钝化工艺为在晶体硅电池的制作中，当P型晶体硅完成沉积减反射膜工序后，先在P型晶体硅衬底背光面的P型一侧沉积氧化铒钝化层，然后进行退火处理，在钝化层与P型晶体硅衬底背光面的P型一侧之间形成SiO2缓冲层，完成钝化层的制备。本发明采用氧化铒作为晶硅电池钝化层，能提高晶格匹配度，从而降低晶硅表面的缺陷态密度，提高钝化效果。
专利类型：发明
专利号：
201410031066.7专利申请日：
2014.01.23公开（公告）日：
2014.04.23申请（专利权）人：
通用光伏能源（烟台）有限公司发明（设计）人：
李爱丽;刘吉人;万资仁;唐维泰;余钦章;李文艳;罗伟;潘若宏;张志红国别省市：
山东;37
