晶硅太阳能电池片边缘局部漏电的处理方法 CN201310721552.7

本发明涉及一种成品晶硅太阳能电池片并联电阻偏小的处理方法，尤其是晶硅太阳能电池片边缘局部漏电的处理方法。其特点是，包括如下步骤：（1）收集因漏电流大导致的不合格电池片，通过测试识别出所有电池片（4）边缘的漏电位置；（2）将电池片（4）堆叠放置在一起；（3）采用250目或以上的细砂纸打磨漏电位置；（4）用干燥的无尘布擦去打磨位置处的较大颗粒，再采用无水乙醇湿润的无尘布擦拭从而去掉全部粉尘即可。本发明提供了一种晶硅太阳能电池片边缘局部漏电的处理方法，经过试用证明可以对因边缘局部漏电大、并联电阻小造成的不合格晶硅太阳能电池片进行修复处理。
专利类型：发明
专利号：201310721552.7
专利申请日：2013.12.24
公开（公告）日：2014.04.23
申请（专利权）人：宁夏银星能源股份有限公司
发明（设计）人：丁继业;安百俊;田治龙;周筱丽;朱丽娟
国别省市：宁夏;64