掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池 CN201410011688.3

本发明公开了一种掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池，它包括P型晶体硅衬底、N型掺氢晶化硅层、重掺杂N型非晶硅层、正面透明导电膜层、正面电极层、P型掺氢晶化硅层、重掺杂P型非晶硅层、背面透明导电膜层和背面电极层；N型掺氢晶化硅层沉积在P型晶体硅衬底的正面上；重掺杂N型非晶硅层沉积在N型掺氢晶化硅层的上表面上；P型掺氢晶化硅层沉积在P型晶体硅衬底的背面上；重掺杂P型非晶硅层沉积在P型掺氢晶化硅层的下表面上；背面透明导电膜层沉积在重掺杂P型非晶硅层的下表面上。本发明不仅能够保持较好的钝化效果，从而获得高开路电压，而且可以降低太阳能电池的整体串联电阻，进而提高填充因子，提高太阳能电池的转换效率。
专利类型：发明
专利号：201410011688.3
专利申请日：2014.01.10
公开（公告）日：2014.04.16
申请（专利权）人：常州天合光能有限公司
发明（设计）人：包健
国别省市：江苏;32