一种微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池及其制备方法 CN201310746824.9

本发明属于太阳能光伏电池技术领域，特别涉及一种微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池及其制备方法；所述薄膜太阳能电池包括衬底，衬底上依次是背电极、p型半导体微米/纳米二级阵列、n型半导体层、窗口层和金属栅格电极。本发明应用化学浴沉积技术在Cu2S微米/纳米二级阵列的基础上，制备出微米/纳米二级阵列结构薄膜太阳能电池的吸收层，制备方法简单，相比于需要高真空条件或者高温条件制备吸收层的方法，该技术具有成本较低，对设备要求不高，反应物容易得到，制备温度较低，反应条件易控制、可以方便地进行大面积应用等优点。
专利类型：发明
专利号：201310746824.9
专利申请日：2013.12.30
公开（公告）日：2014.04.09
申请（专利权）人：商丘师范学院
发明（设计）人：李立强;任山;陈文聪;陈圆圆
国别省市：河南;41